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Product 01 IP-R&D Agent

ChipInsight

技術難題の解決に向けた研究企画から事業機会の発掘まで

アナリストが1名チームに加わったようなものです。特許・論文・規格・サプライチェーンを自ら調べ上げて結論を立て、どれが実測値でどれがベンダー主張値かまで区別しておきます。残るのは判断だけです。

C ChipInsight Lab
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回避設計シナリオ

請求項の構成要素を分解し、性能と量産性を保ちながらIPリスクを下げる代替案を比較します。

ACTIVE SCOPE Layered GaAs and GaAs nanosheet stripped therefrom
総合分析レポート
基準特許
80分析可能な標本
請求項要素
41件を固定
設計代替案
4異なる回避レバー
残存リスク
55
基準特許Layered GaAs… 回避対象Layered GaAs 設計レバー構成の削除 維持対象と衝突
01基準特許

基準特許を選ぶと、請求項の構成要素と回避戦略が併せて更新されます。

UNIV YONSEI IACF
Layered GaAs and GaAs nanosheet stripped therefrom
2022-01 · CN-113912112-A
NANCHANG RESEARCH INST.
Wafer bonding structure and preparation method thereof
2022-01 · CN-113937084-A
GLOBALWAFERS CO LTD
Method of preparing multilayer structure
02回避対象の構成要素

回避する構成要素を選ぶと、下の回避戦略がその基準で再計算されます。設計上残すべき要素は「維持」と表示されます。

01Layered GaAs

Layered GaAsを実現する必須機能ブロック

維持 原案との関連が高い
02ナノシート リリースエッチング

リリースエッチングと隣接構成の結合関係

維持 原案との関連が高い
03GAA

GAAの順序・配置条件

維持 原案との関連が中程度
04nanosheet

nanosheetの数値・運転範囲

維持 原案との関連が低い
03Layered GaAs 回避戦略
維持対象と衝突
構成の削除
技術の代替
機能の分離
工程条件の変更
COPILOT 固定6

回避設計シナリオを要約して

COPILOT

基準請求項において「Layered GaAs」構成要素との衝突を回避することが目標です。対象請求項は 1) Layered GaAs、2) リリースエッチングと隣接構成の結合、3) GAAの順序・配置、4) nanosheetの数値・運転範囲 で構成されます。

回避手段は4つです。構成の削除 — 当該機能を外部モジュールへ移し、組み合わせから除外。技術の代替 — 同一機能を別のメカニズム・材料で実現。機能の分離 — 結合機能を2つのブロックと制御インターフェースに分離。

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ChipInsight Lab · 回避設計シナリオ · 画面例、根拠は非公開処理

01 — Workspace map

作業していた順序のまま、画面がつながります。

IPで絞り込んだ範囲が研究企画の出発点になり、そこから出た代替案が事業開発へ引き継がれます。前段で集めた根拠と条件をそのまま受け継ぎます。

IP IPインテリジェンス 3 screens
先行文献探索 01

開示内容をそのまま入力すると、特許・論文が近接度順に並び、未占有領域まで表示されます。

近接度ランキング · 未占有領域
新着技術モニタリング 02

関心技術群の出願・規格改定・ソーシング変化を、毎日1枚で受け取ります。

モニタリングダイジェスト
技術・特許ランドスケープ 03

技術軸と出願人軸で請求項空間を展開し、占有領域と開放領域を対照します。

ランドスケープマップ
R&D 研究企画 3 screens
性能・構成ベンチマーク 04

熱マージン・歩留まりリスク・スケジュールを並べ、実測値と主張値を区別して表記します。

比較表
R&D機会の発掘 05

課題・仮説・アプローチ・マイルストーン・リスクの骨格を根拠とともに立て、DOEまでドラフトします。

企画骨格 · DOE
回避設計シナリオ 06

維持する構成要素を固定したうえで、4つのレバーで進める経路を再計算します。

回避経路 · FTO注意
BUSINESS 事業開発 3 screens
パートナー・ライセンシング 07

相補的な候補企業と接点、ライセンシング経路を整理し、共同開発提案書のドラフトまでつなげます。

パートナー候補 · 提案書ドラフト
IP-R&D総合分析レポート 08

複数の画面で絞り込んだ根拠を、論拠・根拠・シナリオ・未決事項の順にまとめます。

意思決定パック
潜在顧客の発掘 09

保有技術を必要とする企業を、出願履歴とサプライチェーン、採用・投資シグナルから絞り込み、優先順位と接点を整理します。

ターゲットリスト · 接点マップ
SHARED LAYER プロジェクトコンテキスト 根拠ストア Copilot レビュー履歴 9つの画面が同じ根拠を共有します
02 — Copilot

いま見ている画面について、そのまま尋ねてください。

Copilotは開いている画面をすでに見ています。どの請求項が固定され、どのレバーを選んだかを把握しているため、必要なことだけをそのまま尋ねれば済みます。回答に使われた根拠は、画面上の項目に戻って確認できます。

「この回避戦略のうち、量産性リスクが最も低いのは?」

「固定した構成要素を外すと、代替案はいくつに増える?」

「この基準特許のファミリーのうち、韓国出願の状態だけ教えて」

「ここまでの内容で総合分析レポートのドラフトを作って」

03 — Deliverables

実行するたびに、意思決定に使える成果物が残ります

9つの成果物が出ます。そのうち経営層への報告にそのまま上がるのが意思決定パックです。

DECISION PACK · CYCLE 07
HBM発熱リスク · 加速か協業か
✓ 根拠を追跡
論拠

12-Hi HBMの熱余裕は、次の計画区間のうちに閉じます。内製化の加速は速度を得て歩留まりを賭け、協業はマージンを譲ってスケジュールを買います。

加速
RISK MED

最速 · 歩留まりリスクを露出

協業有力
RISK HIGH

スケジュールは確実 · マージンを譲歩

様子見
RISK LOW

低コミット · 主導権を譲歩

根拠3件 ベンダー熱仕様 ファウンドリ工程ノート アナリスト見通し ! 要検討
その他の成果物
02比較表
03先行技術 / 新規性
04回避設計
05実験計画(DOE)
06根本原因分析
07変化モニタリング
08R&D企画文書
09提案書ドラフト
04 — Domain coverage

この分野を、すでに知ったうえで始めます。

3つのドメインの語彙と指標、失敗モードがモデルに入っています。背景説明なしで、難題から切り出せます。

01

半導体

プロセス・デバイス物理・歩留まり・先端パッケージング。トランジスタスケーリングからサプライチェーンまで。

CORE COVERAGE
OSAT · 先端パッケージング シリコンウェハー テスト · 歩留まり 素材 パワー · アナログ 設計 · ファブレス ロジック · 先端ノード ファウンドリ · IDM RF · センサー EDA · IP メモリ EUV · パターニング 装置
FRONTIER NOW
CoWoS / CoWoS-L High-NA EUV 2ナノ (N2) HBM4 / HBM4E 裏面電源供給 (BSPDN) ハイブリッドボンディング
分野が動けば、カバレッジも併せて更新されます
02

ディスプレイ

OLEDと次世代自発光全般のパネル素材・バックプレーン・欠陥物理。

CORE COVERAGE
バックプレーン マイクロLED · 自発光 封止 発光材料 検査 · リペア パネルメーカー 蒸着 · FMM 基板 · ガラス カラーフィルター · 偏光板 セット · 需要
FRONTIER NOW
8.6世代OLED OLEDoS マスクレスOLED タンデムOLED 青色りん光 マイクロLED転写
分野が動けば、カバレッジも併せて更新されます
03

AIコンピューティング

AIワークロードがシリコンと出会う地点。メモリ・パッケージング・熱・電力の限界。

CORE COVERAGE
アクセラレータ HBMメモリ チップレット Co-packaged optics SmartNIC · DPU ハイパースケーラー AIファウンドリ ダイ間 (UCIe) スイッチシリコン 発熱 · 電力 ラックスケールシステム エッジ推論
FRONTIER NOW
NVLink / UALink 液冷 ガラス基板 HBM4帯域幅 シリコンフォトニクス CXLプーリング
分野が動けば、カバレッジも併せて更新されます
Start with one problem

最優先の難題ひとつで、トライアルを始めてください。

例 — GAAナノシートのRc低減戦略、OLEDシャドーマスクの欠陥低減、HBM発熱リスクのマッピング。最初のレビューの根拠と決定が、次の企画サイクルの出発点になります。

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