NeuralChainX
도입 상담
Product 01 IP-R&D Agent

ChipInsight

기술 난제 해결을 위한 연구기획과 사업기회 발굴까지

분석가 한 명이 팀에 합류한 것과 같습니다. 특허·논문·표준·공급망을 스스로 뒤져 결론을 세우고, 무엇이 측정값이고 무엇이 벤더 주장값인지까지 구분해 둡니다. 판단만 남습니다.

C ChipInsight Lab
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회피설계 시나리오

청구항 구성요소를 분해하고, 성능과 양산성을 지키면서 IP 리스크를 낮출 대안을 비교합니다.

ACTIVE SCOPE Layered GaAs and GaAs nanosheet stripped therefrom
종합분석 리포트
기준 특허
80분석 가능 표본
청구항 요소
41개 고정
설계 대안
4서로 다른 회피 레버
잔존 리스크
55중간
기준 특허Layered GaAs… 회피 대상Layered GaAs 설계 레버구성 삭제 유지 대상과 충돌
01기준 특허

기준 특허를 고르면 청구항 구성요소와 회피 전략이 함께 갱신됩니다.

UNIV YONSEI IACF
Layered GaAs and GaAs nanosheet stripped therefrom
2022-01 · CN-113912112-A
NANCHANG RESEARCH INST.
Wafer bonding structure and preparation method thereof
2022-01 · CN-113937084-A
GLOBALWAFERS CO LTD
Method of preparing multilayer structure
02회피 대상 구성요소

비켜갈 구성요소를 고르면 아래 회피 전략이 그 기준으로 다시 계산됩니다. 설계상 남겨야 하는 요소는 "유지"로 표시됩니다.

01Layered GaAs

Layered GaAs을 구현하는 필수 기능 블록

유지 원안 연관 높음
02나노시트 릴리즈 식각

릴리즈 식각과 인접 구성의 결합 관계

유지 원안 연관 높음
03GAA

GAA의 순서·배치 조건

유지 원안 연관 중간
04nanosheet

nanosheet의 수치·운전 범위

유지 원안 연관 낮음
03Layered GaAs 회피 전략
유지 대상과 충돌
구성 삭제
기술 대체
기능 분리
공정조건 변경
COPILOT 고정 6

회피설계 시나리오를 요약해줘

COPILOT

기준 청구항에서 'Layered GaAs' 구성요소와의 충돌을 회피하는 것이 목표입니다. 대상 청구항은 1) Layered GaAs, 2) 릴리즈 식각과 인접 구성의 결합, 3) GAA의 순서·배치, 4) nanosheet의 수치·운전 범위로 구성됩니다.

회피 수단은 네 가지입니다. 구성 삭제 — 해당 기능을 외부 모듈로 이관해 조합에서 제외. 기술 대체 — 동일 기능을 다른 메커니즘·재료로 구현. 기능 분리 — 결합 기능을 두 블록과 제어 인터페이스로 분리.

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ChipInsight Lab · 회피설계 시나리오 · 화면 예시, 근거는 비공개 처리됨

01 — Workspace map

일하던 순서대로 화면이 이어집니다.

IP에서 좁힌 범위가 연구기획의 출발점이 되고, 거기서 나온 대안이 사업개발로 넘어갑니다. 앞에서 모은 근거와 조건을 그대로 물려받습니다.

IP IP 인텔리전스 3 screens
선행문헌 탐색 01

개시 내용을 그대로 넣으면 특허·논문이 근접도 순으로 정렬되고, 미점유 영역까지 표시됩니다.

근접도 랭킹 · 미점유 영역
신착기술 모니터링 02

관심 기술군의 출원·표준 개정·소싱 변화를 매일 한 장으로 받습니다.

모니터링 다이제스트
기술·특허 랜드스케이프 03

기술 축과 출원인 축으로 청구항 공간을 펼쳐 점유·개방 영역을 대조합니다.

랜드스케이프 맵
R&D 연구기획 3 screens
성능·구성 벤치마크 04

열 마진·수율 리스크·일정을 나란히 놓고, 측정값과 주장값을 구분 표기합니다.

비교표
R&D 기회 발굴 05

문제·가설·접근법·마일스톤·리스크 골격을 근거와 함께 세우고 DOE까지 초안합니다.

기획 골격 · DOE
회피설계 시나리오 06

유지할 구성요소를 잠근 뒤 네 개의 레버로 갈 수 있는 경로를 다시 계산합니다.

회피 경로 · FTO 주의
BUSINESS 사업개발 3 screens
파트너·라이선싱 07

상보적인 후보 기업과 접점, 라이선싱 경로를 정리하고 공동개발 제안서 초안까지 이어집니다.

파트너 후보 · 제안서 초안
IP-R&D 종합분석 리포트 08

여러 화면에서 좁힌 근거를 논거·근거·시나리오·미결 사항 순서로 묶습니다.

의사결정 팩
잠재고객 발굴 09

보유 기술을 필요로 할 기업을 출원 이력과 공급망, 채용·투자 신호로 추려 우선순위와 접점을 정리합니다.

타깃 리스트 · 접점 맵
SHARED LAYER 프로젝트 컨텍스트 근거 저장소 Copilot 검토 이력 아홉 개 화면이 같은 근거를 공유합니다
02 — Copilot

지금 보고 있는 화면에 대해, 그대로 물어보세요.

Copilot은 열려 있는 화면을 이미 보고 있습니다. 어떤 청구항이 고정되어 있고 어떤 레버를 골랐는지 알기 때문에, 필요한 것만 바로 물어보면 됩니다. 답변에 쓰인 근거는 화면의 항목으로 되돌아가 확인됩니다.

"이 회피 전략 중 양산성 리스크가 가장 낮은 건?"

"고정한 구성요소를 풀면 대안이 몇 개로 늘어나?"

"이 기준 특허의 패밀리 중 한국 출원 상태만 알려줘"

"여기까지 내용으로 종합분석 리포트 초안 만들어줘"

03 — Deliverables

실행할 때마다 결정에 쓸 산출물이 남습니다

아홉 가지 산출물이 나옵니다. 그중 경영진 보고에 바로 올라가는 것이 의사결정 팩입니다.

DECISION PACK · CYCLE 07
HBM 발열 리스크 · 가속 대 협업
✓ 근거 추적
논거

12-Hi HBM 열 여유는 다음 계획 구간 안에 닫힙니다. 내재화 가속은 속도를 얻고 수율을 걸고, 협업은 마진을 내주고 일정을 삽니다.

가속
RISK MED

가장 빠름 · 수율 노출

협업유력
RISK HIGH

일정 확실 · 마진 양보

관망
RISK LOW

낮은 커밋 · 주도권 양보

근거 3건 벤더 열 사양 파운드리 공정 노트 애널리스트 전망 ! 검토
그 외 산출물
02비교표
03선행기술 / 신규성
04회피 설계
05실험 계획(DOE)
06근본원인 분석
07변화 모니터링
08R&D 기획 문서
09제안서 초안
04 — Domain coverage

우리 분야를 이미 알고 시작합니다.

세 개 도메인의 어휘와 지표, 실패 모드가 모델에 들어가 있습니다. 배경 설명 없이 난제부터 꺼내면 됩니다.

01

반도체

공정·소자 물리·수율·첨단 패키징. 트랜지스터 스케일링부터 공급망까지.

CORE COVERAGE
OSAT · 첨단 패키징 실리콘 웨이퍼 테스트 · 수율 소재 파워 · 아날로그 설계 · 팹리스 로직 · 첨단 노드 파운드리 · IDM RF · 센서 EDA · IP 메모리 EUV · 패터닝 장비
FRONTIER NOW
CoWoS / CoWoS-L High-NA EUV 2나노 (N2) HBM4 / HBM4E 후면 전력공급 (BSPDN) 하이브리드 본딩
분야가 움직이면 커버리지도 함께 갱신됩니다
02

디스플레이

OLED와 차세대 자발광 전반의 패널 소재·백플레인·결함 물리.

CORE COVERAGE
백플레인 마이크로LED · 자발광 봉지 발광 소재 검사 · 리페어 패널 메이커 증착 · FMM 기판 · 글라스 컬러필터 · 편광판 세트 · 수요
FRONTIER NOW
8.6세대 OLED 올레도스 (OLEDoS) 마스크리스 OLED 텐덤 OLED 청색 인광 마이크로LED 전사
분야가 움직이면 커버리지도 함께 갱신됩니다
03

AI 컴퓨팅

AI 워크로드가 실리콘과 만나는 지점. 메모리·패키징·열·전력 한계.

CORE COVERAGE
가속기 HBM 메모리 칩렛 Co-packaged optics SmartNIC · DPU 하이퍼스케일러 AI 파운드리 다이 간 (UCIe) 스위치 실리콘 발열 · 전력 랙스케일 시스템 엣지 추론
FRONTIER NOW
NVLink / UALink 액체냉각 글래스 기판 HBM4 대역폭 실리콘 포토닉스 CXL 풀링
분야가 움직이면 커버리지도 함께 갱신됩니다
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최우선 난제 하나로 트라이얼을 시작하세요.

예시 — GAA 나노시트 Rc 저감 전략, OLED 섀도마스크 결함 저감, HBM 발열 리스크 맵핑. 첫 검토의 근거와 결정이 다음 기획 사이클의 출발점이 됩니다.

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